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SBAS40LT3G

SBAS40LT3G

僅供參考

型號 SBAS40LT3G
PNEDA編號 SBAS40LT3G
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBAS40LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBAS40LT3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SBAS40LT3G, SBAS40LT3G數據表 (總頁數: 4, 大小: 116.54 KB)
PDFSBAS40LT3G數據表 封面
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SBAS40LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)120mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 40mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 25V
電容@ Vr,F5pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 35V

電容@ Vr,F

400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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