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SBCP68T1G

SBCP68T1G

僅供參考

型號 SBCP68T1G
PNEDA編號 SBCP68T1G
描述 TRANS NPN 20V 1A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBCP68T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBCP68T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SBCP68T1G, SBCP68T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 136.11 KB)
PDFBCP68T1數據表 封面
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SBCP68T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce85 @ 500mA, 1V
功率-最大1.5W
頻率-過渡60MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 300mA, 5V

功率-最大

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18MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 50mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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