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SBF720T1G

SBF720T1G

僅供參考

型號 SBF720T1G
PNEDA編號 SBF720T1G
描述 TRANS NPN 300V 0.1A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBF720T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBF720T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SBF720T1G, SBF720T1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 102.59 KB)
PDFBF720T3G數據表 封面
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SBF720T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 30mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 25mA, 20V
功率-最大1.5W
頻率-過渡60MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223 (TO-261)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

185 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 100mA, 1V

功率-最大

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Nexperia

制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

PBSS9110X,135

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

MJL0281AG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

260V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

180W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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