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SBYV26CHE3/54

SBYV26CHE3/54

僅供參考

型號 SBYV26CHE3/54
PNEDA編號 SBYV26CHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBYV26CHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBYV26CHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SBYV26CHE3/54, SBYV26CHE3/54數據表 (總頁數: 5, 大小: 74.78 KB)
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SBYV26CHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.5V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 650V

電容@ Vr,F

430pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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