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SBYV28-200-E3/54

SBYV28-200-E3/54

僅供參考

型號 SBYV28-200-E3/54
PNEDA編號 SBYV28-200-E3-54
描述 DIODE GEN PURP 200V 3.5A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBYV28-200-E3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBYV28-200-E3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SBYV28-200-E3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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3500V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3500V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 40V

電容@ Vr,F

200pF @ 40V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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