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SCT3017ALHRC11

SCT3017ALHRC11

僅供參考

型號 SCT3017ALHRC11
PNEDA編號 SCT3017ALHRC11
描述 AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCT3017ALHRC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCT3017ALHRC11
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SCT3017ALHRC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)118A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)18V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22.1mOhm @ 47A, 18V
Vgs(th)(最大)@ ID5.6V @ 23.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs172nC @ 18V
Vgs(最大)+22V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2884pF @ 500V
FET功能-
功耗(最大值)427W
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247N
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 38V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 134W (Tc)

工作溫度

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