SCTW90N65G2V
僅供參考
| 型號 | SCTW90N65G2V |
| PNEDA編號 | SCTW90N65G2V |
| 描述 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,498 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十二月 23 - 十二月 28 (選擇加急運輸) |
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SCTW90N65G2V資源
| 品牌 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SCTW90N65G2V |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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SCTW90N65G2V規格
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 650V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 90A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 18V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 3300pF @ 400V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 390W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | HiP247™ |
| 包裝/箱 | TO-247-3 |
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