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SCTWA50N120

SCTWA50N120

僅供參考

型號 SCTWA50N120
PNEDA編號 SCTWA50N120
描述 MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCTWA50N120資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCTWA50N120
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SCTWA50N120, SCTWA50N120數據表 (總頁數: 11, 大小: 709.9 KB)
PDFSCTWA50N120數據表 封面
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SCTWA50N120規格

制造商STMicroelectronics
系列-
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)65A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs122nC @ 20V
Vgs(最大)+25V, -10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)318W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝HiP247™
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1136pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7300pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2205pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

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