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SDT05S60

SDT05S60

僅供參考

型號 SDT05S60
PNEDA編號 SDT05S60
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $36.9226
100 ---------- $35.1919
250 ---------- $33.4611
500 ---------- $31.7304
750 ---------- $30.2881
1,000 ---------- $28.8458
庫存 3,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SDT05S60資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SDT05S60
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SDT05S60, SDT05S60數據表 (總頁數: 8, 大小: 498.04 KB)
PDFSDT05S60數據表 封面
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SDT05S60規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 600V
電容@ Vr,F170pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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120V

電流-平均整流(Io)

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1.05V @ 35A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.2mA @ 120V

電容@ Vr,F

2080pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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