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SE10DD-M3/I

SE10DD-M3/I

僅供參考

型號 SE10DD-M3/I
PNEDA編號 SE10DD-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE10DD-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE10DD-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE10DD-M3/I, SE10DD-M3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 108.8 KB)
PDFSE10DJHM3/I數據表 封面
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SE10DD-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 100V
電容@ Vr,F67pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
供應商設備包裝TO-263AC (SMPD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

15V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

330mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 15V

電容@ Vr,F

390pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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