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SE10DG-M3/I

SE10DG-M3/I

僅供參考

型號 SE10DG-M3/I
PNEDA編號 SE10DG-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE10DG-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE10DG-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE10DG-M3/I, SE10DG-M3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 108.8 KB)
PDFSE10DJHM3/I數據表 封面
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SE10DG-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 400V
電容@ Vr,F67pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
供應商設備包裝TO-263AC (SMPD)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

475mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 630A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-205AC, DO-30, Stud

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

280pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-221AC, SMA Flat Leads

供應商設備包裝

DO-221AC (SlimSMA)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.2ns

當前-反向泄漏@ Vr

225µA @ 30V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

0201 (0603 Metric)

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