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SE10FG-M3/I

SE10FG-M3/I

僅供參考

型號 SE10FG-M3/I
PNEDA編號 SE10FG-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 1 - 一月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE10FG-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE10FG-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE10FG-M3/I, SE10FG-M3/I數據表 (總頁數: 6, 大小: 128.99 KB)
PDFSE10FJHM3/H數據表 封面
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SE10FG-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F7.5pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 20mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 20V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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350mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

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