SE10FJHM3/I
僅供參考
| 型號 | SE10FJHM3/I |
| PNEDA編號 | SE10FJHM3-I |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB |
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 350,934 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸) |
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SE10FJHM3/I資源
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SE10FJHM3/I規格
| 制造商 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 二極管類型 | Standard |
| 電壓-直流反向（Vr）（最大值） | 600V |
| 電流-平均整流（Io） | 1A |
| 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 | 1.05V @ 1A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 反向恢復時間（trr） | 780ns |
| 當前-反向泄漏@ Vr | 5µA @ 600V |
| 電容@ Vr，F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | DO-219AB |
| 供應商設備包裝 | DO-219AB (SMF) |
| 工作溫度-結點 | -55°C ~ 175°C |
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