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SE10PD-E3/84A

SE10PD-E3/84A

僅供參考

型號 SE10PD-E3/84A
PNEDA編號 SE10PD-E3-84A
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE10PD-E3/84A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE10PD-E3/84A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE10PD-E3/84A, SE10PD-E3/84A數據表 (總頁數: 5, 大小: 102.12 KB)
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SE10PD-E3/84A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)780ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

SCS302AJTLL

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 2.15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

10.8µA @ 650V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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