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SE20AFDHM3/6B

SE20AFDHM3/6B

僅供參考

型號 SE20AFDHM3/6B
PNEDA編號 SE20AFDHM3-6B
描述 DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE20AFDHM3/6B資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE20AFDHM3/6B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE20AFDHM3/6B, SE20AFDHM3/6B數據表 (總頁數: 5, 大小: 114.68 KB)
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SE20AFDHM3/6B規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1.3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝DO-221AC (SlimSMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 2.6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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