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SE20PJ-M3/85A

SE20PJ-M3/85A

僅供參考

型號 SE20PJ-M3/85A
PNEDA編號 SE20PJ-M3-85A
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE20PJ-M3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE20PJ-M3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE20PJ-M3/85A, SE20PJ-M3/85A數據表 (總頁數: 5, 大小: 108.71 KB)
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SE20PJ-M3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.2µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F13pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

230pF @ 4V, 1MHz

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