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SE30AFGHM3/6B

SE30AFGHM3/6B

僅供參考

型號 SE30AFGHM3/6B
PNEDA編號 SE30AFGHM3-6B
描述 DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE30AFGHM3/6B資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE30AFGHM3/6B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE30AFGHM3/6B, SE30AFGHM3/6B數據表 (總頁數: 5, 大小: 113.35 KB)
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SE30AFGHM3/6B規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1.4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F19pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝DO-221AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

200°C (Max)

MSS1P5HM3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 50V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 85A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 10V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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