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SE30AFJHM3J/6A

SE30AFJHM3J/6A

僅供參考

型號 SE30AFJHM3J/6A
PNEDA編號 SE30AFJHM3J-6A
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE30AFJHM3J/6A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE30AFJHM3J/6A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SE30AFJHM3J/6A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, PAR®, SlimSMA™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F19pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221AC, SMA Flat Leads
供應商設備包裝DO-221AC (SlimSMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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工作溫度-結點

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

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Surface Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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