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SE40PD-M3/86A

SE40PD-M3/86A

僅供參考

型號 SE40PD-M3/86A
PNEDA編號 SE40PD-M3-86A
描述 DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE40PD-M3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE40PD-M3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE40PD-M3/86A, SE40PD-M3/86A數據表 (總頁數: 5, 大小: 97.92 KB)
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SE40PD-M3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2.4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F28pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.26V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

395mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMA

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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