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SE40PGHM3/86A

SE40PGHM3/86A

僅供參考

型號 SE40PGHM3/86A
PNEDA編號 SE40PGHM3-86A
描述 DIODE GEN PURP 400V 2.4A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE40PGHM3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE40PGHM3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE40PGHM3/86A, SE40PGHM3/86A數據表 (總頁數: 5, 大小: 97.92 KB)
PDFSE40PJHM3/86A數據表 封面
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SE40PGHM3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)2.4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F28pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

SB550/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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1.02V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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