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SE50PABHM3/I

SE50PABHM3/I

僅供參考

型號 SE50PABHM3/I
PNEDA編號 SE50PABHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 100V 5A DO221BC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE50PABHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE50PABHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SE50PABHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.16V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F32pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
供應商設備包裝DO-221BC (SMPA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 8A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 650V

電容@ Vr,F

414pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 120V

電容@ Vr,F

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800V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 800V

電容@ Vr,F

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