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SE70PGHM3_A/I

SE70PGHM3_A/I

僅供參考

型號 SE70PGHM3_A/I
PNEDA編號 SE70PGHM3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE70PGHM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE70PGHM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE70PGHM3_A/I, SE70PGHM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 98.5 KB)
PDFSE70PJHM3/86A數據表 封面
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SE70PGHM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)2.9A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 7A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.6µs
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 400V
電容@ Vr,F76pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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制造商

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60V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 60V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 2200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

340pF @ 1V, 1MHz

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