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SE80PWGHM3/I

SE80PWGHM3/I

僅供參考

型號 SE80PWGHM3/I
PNEDA編號 SE80PWGHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A SLIMDPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SE80PWGHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SE80PWGHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SE80PWGHM3/I, SE80PWGHM3/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 124.72 KB)
PDFSE80PWJHM3/I數據表 封面
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SE80PWGHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.12V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.4µs
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 400V
電容@ Vr,F58pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝SlimDPAK
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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