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SF10HG-B

SF10HG-B

僅供參考

型號 SF10HG-B
PNEDA編號 SF10HG-B
描述 DIODE GEN PURP 500V 1A DO41
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SF10HG-B資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SF10HG-B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SF10HG-B, SF10HG-B數據表 (總頁數: 4, 大小: 216.25 KB)
PDFSF10JG-B數據表 封面
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SF10HG-B規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)500V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 500V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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1.08V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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DO-214AA (SMB)

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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