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SFP9Z34

SFP9Z34

僅供參考

型號 SFP9Z34
PNEDA編號 SFP9Z34
描述 MOSFET P-CH 60V 18A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SFP9Z34資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SFP9Z34
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SFP9Z34, SFP9Z34數據表 (總頁數: 7, 大小: 236.39 KB)
PDFSFP9Z34數據表 封面
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SFP9Z34規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1155pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)82W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 20V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

NP22N055SLE-E2-AY

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

NTD20N06LT4

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.36W (Ta), 60W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Nexperia

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

425A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

202nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15719pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

375W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.8A, 10V

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