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SFT1202-TL-E

SFT1202-TL-E

僅供參考

型號 SFT1202-TL-E
PNEDA編號 SFT1202-TL-E
描述 TRANS NPN 150V 2A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SFT1202-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SFT1202-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
SFT1202-TL-E, SFT1202-TL-E數據表 (總頁數: 9, 大小: 406.5 KB)
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SFT1202-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic165mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

400nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 1V

功率-最大

-

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 7.5A, 3V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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