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SFT1440-TL-E

SFT1440-TL-E

僅供參考

型號 SFT1440-TL-E
PNEDA編號 SFT1440-TL-E
描述 MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SFT1440-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SFT1440-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SFT1440-TL-E, SFT1440-TL-E數據表 (總頁數: 9, 大小: 410.79 KB)
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SFT1440-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.1Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.3nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds130pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta), 20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TP-FA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

IPP220N25NFDAKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7076pF @ 125V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3

包裝/箱

TO-220-3

JAN2N6758

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/542

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-204AA (TO-3)

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

SIRA90DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10180pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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