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SGB07N120ATMA1

SGB07N120ATMA1

僅供參考

型號 SGB07N120ATMA1
PNEDA編號 SGB07N120ATMA1
描述 IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGB07N120ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGB07N120ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SGB07N120ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)16.5A
電流-集電極脈沖(Icm)27A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 8A
功率-最大125W
開關能量1mJ
輸入類型Standard
門禁費用70nC
25°C時的Td(開/關)27ns/440ns
測試條件800V, 8A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-3-2

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

170W

開關能量

690µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/194ns

測試條件

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

76A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 30A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/6µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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90A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

360µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

-/151ns

測試條件

400V, 45A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

498ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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