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SGH15N60RUFDTU

SGH15N60RUFDTU

僅供參考

型號 SGH15N60RUFDTU
PNEDA編號 SGH15N60RUFDTU
描述 IGBT 600V 24A 160W TO3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGH15N60RUFDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGH15N60RUFDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGH15N60RUFDTU, SGH15N60RUFDTU數據表 (總頁數: 8, 大小: 612.63 KB)
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SGH15N60RUFDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)24A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 15A
功率-最大160W
開關能量320µJ (on), 356µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用42nC
25°C時的Td(開/關)17ns/44ns
測試條件300V, 15A, 13Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

260µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/55ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-264

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

412W

開關能量

1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

217nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/546ns

測試條件

600V, 30A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

200W

開關能量

1.03mJ (on), 480µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

175nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/77ns

測試條件

480V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.3V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

620µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/100ns

測試條件

800V, 5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

51ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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