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SGH23N60UFDTU

SGH23N60UFDTU

僅供參考

型號 SGH23N60UFDTU
PNEDA編號 SGH23N60UFDTU
描述 IGBT 600V 23A 100W TO3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGH23N60UFDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGH23N60UFDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGH23N60UFDTU, SGH23N60UFDTU數據表 (總頁數: 7, 大小: 627.62 KB)
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SGH23N60UFDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)92A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 12A
功率-最大100W
開關能量115µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)17ns/60ns
測試條件300V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.69V @ 15V, 75A

功率-最大

453W

開關能量

2mJ (on), 1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

663.3nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/496ns

測試條件

600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

259ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

34A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

34A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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