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SGW10N60RUFDTM

SGW10N60RUFDTM

僅供參考

型號 SGW10N60RUFDTM
PNEDA編號 SGW10N60RUFDTM
描述 IGBT 600V 16A 75W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGW10N60RUFDTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGW10N60RUFDTM
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGW10N60RUFDTM, SGW10N60RUFDTM數據表 (總頁數: 9, 大小: 600.46 KB)
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SGW10N60RUFDTM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 10A
功率-最大75W
開關能量141µJ (on), 215µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)15ns/36ns
測試條件300V, 10A, 20Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D²PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

350A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 40A

功率-最大

660W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/110ns

測試條件

960V, 40A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 20A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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反向恢復時間(trr)

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