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SGW23N60UFDTM

SGW23N60UFDTM

僅供參考

型號 SGW23N60UFDTM
PNEDA編號 SGW23N60UFDTM
描述 IGBT 600V 23A 100W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGW23N60UFDTM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGW23N60UFDTM
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGW23N60UFDTM, SGW23N60UFDTM數據表 (總頁數: 9, 大小: 591.28 KB)
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SGW23N60UFDTM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)92A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 12A
功率-最大100W
開關能量115µJ (on), 135µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用49nC
25°C時的Td(開/關)17ns/60ns
測試條件300V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D²PAK

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電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5V @ 15V, 20A

功率-最大

250W

開關能量

1.35mJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

88nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/110ns

測試條件

700V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

480W

開關能量

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

480nC

25°C時的Td(開/關)

55ns/200ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

94A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

功率-最大

379W

開關能量

2.315mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/300ns

測試條件

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

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1700V

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電流-集電極脈沖(Icm)

84A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 10A

功率-最大

280W

開關能量

1.4mJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

46nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/130ns

測試條件

850V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

160ns

工作溫度

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