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SH8K51GZETB

SH8K51GZETB

僅供參考

型號 SH8K51GZETB
PNEDA編號 SH8K51GZETB
描述 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8K51GZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8K51GZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8K51GZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)35V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 10V
功率-最大1.4W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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8-MSOP

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Renesas Electronics America

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FET類型

N and P-Channel Complementary

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

4.8W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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