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SH8K5TB1

SH8K5TB1

僅供參考

型號 SH8K5TB1
PNEDA編號 SH8K5TB1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8K5TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8K5TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SH8K5TB1, SH8K5TB1數據表 (總頁數: 4, 大小: 169.75 KB)
PDFSH8K5TB1數據表 封面
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SH8K5TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs83mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 10V

功率-最大

3.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 23A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1785pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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