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SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB

僅供參考

型號 SH8KA2GZETB
PNEDA編號 SH8KA2GZETB
描述 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8KA2GZETB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8KA2GZETB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SH8KA2GZETB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 15V
功率-最大2.8W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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2 N-Channel (Dual)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

505pF @ 20V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 15V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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510mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 25V

功率-最大

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安裝類型

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