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SH8M14TB1

SH8M14TB1

僅供參考

型號 SH8M14TB1
PNEDA編號 SH8M14TB1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8M14TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8M14TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SH8M14TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

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