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SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1022R-T1-GE3
PNEDA編號 SI1022R-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1022R-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1022R-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1022R-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)330mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-75A
包裝/箱SC-75A

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1683pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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SIHB33N60ET1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

E

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3508pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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功耗(最大值)

98.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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