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SI1033X-T1-E3

SI1033X-T1-E3

僅供參考

型號 SI1033X-T1-E3
PNEDA編號 SI1033X-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1033X-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1033X-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1033X-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)145mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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