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SI1330EDL-T1-GE3

SI1330EDL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1330EDL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1330EDL-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1330EDL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1330EDL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1330EDL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)240mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)280mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

363nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

672W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

342pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

27.2W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

515mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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