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SI1405BDH-T1-E3

SI1405BDH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1405BDH-T1-E3
PNEDA編號 SI1405BDH-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1405BDH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1405BDH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1405BDH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds305pF @ 4V
FET功能-
功耗(最大值)1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

181nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

312.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

SI2308DS-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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