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SI1450DH-T1-GE3

SI1450DH-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1450DH-T1-GE3
PNEDA編號 SI1450DH-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1450DH-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1450DH-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1450DH-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs47mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.05nC @ 5V
Vgs(最大)±5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds535pF @ 4V
FET功能-
功耗(最大值)1.56W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

445pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 2.78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70-6 (SOT-363)

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

STD6N90K5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

67A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.99mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8320pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.3W (Ta), 208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN (5x6)

包裝/箱

8-PowerSMD, Flat Leads

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6660pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1172pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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