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SI1539DDL-T1-GE3

SI1539DDL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1539DDL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1539DDL-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1539DDL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1539DDL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1539DDL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)700mA (Tc), 460mA (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28pF @ 15V, 21pF @ 15V
功率-最大340mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Ta), 720mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC, 1.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF, 110pF @ 10V

功率-最大

150mW (Ta)

工作溫度

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