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SI1563EDH-T1-GE3

SI1563EDH-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1563EDH-T1-GE3
PNEDA編號 SI1563EDH-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1563EDH-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1563EDH-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1563EDH-T1-GE3, SI1563EDH-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 115.74 KB)
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SI1563EDH-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.13A, 880mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大570mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 20A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1255pF @ 15V

功率-最大

12W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 25V

功率-最大

150W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 15V

功率-最大

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A, 6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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