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SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1905DL-T1-E3
PNEDA編號 SI1905DL-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1905DL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1905DL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1905DL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)570mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

功率-最大

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系列

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

290mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 290mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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