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SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3

僅供參考

型號 SI3440ADV-T1-GE3
PNEDA編號 SI3440ADV-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3440ADV-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3440ADV-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI3440ADV-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds80pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)3.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1335pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

225W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

358W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

360W (Tc)

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