SI3460BDV-T1-E3
僅供參考
型號 | SI3460BDV-T1-E3 |
PNEDA編號 | SI3460BDV-T1-E3 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 590,742 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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SI3460BDV-T1-E3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | SI3460BDV-T1-E3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
數據表 |
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SI3460BDV-T1-E3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 8A (Tc) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 27mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 1V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 24nC @ 8V |
Vgs(最大) | ±8V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 860pF @ 10V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | 6-TSOP |
包裝/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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