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SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3588DV-T1-E3
PNEDA編號 SI3588DV-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3588DV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3588DV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI3588DV-T1-E3, SI3588DV-T1-E3數據表 (總頁數: 8, 大小: 123.64 KB)
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SI3588DV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A, 570mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW, 83mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

370mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18.5pF @ 30V

功率-最大

510mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.38A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60.67pF @ 16V

功率-最大

530mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

DMN6066SSD-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

502pF @ 30V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SO

DMC31D5UDA-7B

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

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