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SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

僅供參考

型號 SI3805DV-T1-GE3
PNEDA編號 SI3805DV-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3805DV-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3805DV-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI3805DV-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs84mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 37W (Tc)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 20V

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功耗(最大值)

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5V

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