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SI3981DV-T1-GE3

SI3981DV-T1-GE3

僅供參考

型號 SI3981DV-T1-GE3
PNEDA編號 SI3981DV-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3981DV-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3981DV-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI3981DV-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs185mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A, 1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

功率-最大

1.9W, 2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V

功率-最大

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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