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SI3993DV-T1-GE3

SI3993DV-T1-GE3

僅供參考

型號 SI3993DV-T1-GE3
PNEDA編號 SI3993DV-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3993DV-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3993DV-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI3993DV-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs133mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

功率-最大

2.9W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

865pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 10V

功率-最大

1.25W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2644pF @ 6V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

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